时间：2025/5/7 16:10:18
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2SK198-Q(TX) 是一种N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于高频放大器、射频开关以及功率放大等场景。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适合用于要求高效能和高速响应的电路设计。
该型号是日本松下（Panasonic）生产的经典系列之一，常用于无线电通信设备、雷达系统以及其他需要高可靠性和高性能表现的应用场合。
最大漏源电压：50V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：-4A
输出电容：7pF
输入电容：30pF
跨导：1.6S
耗散功率：25W
工作温度范围：-55℃至+150℃
2SK198-Q(TX) 具有出色的高频性能和较低的噪声水平。其主要特点包括：
1. 高击穿电压 (50V)，确保了在高压环境下的稳定运行。
2. 快速开关速度和低寄生电容，适用于高频应用。
3. 较高的跨导值 (1.6S)，能够提供良好的增益性能。
4. 能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气特性，适应各种极端条件。
5. 小封装体积便于安装和集成到紧凑型设计中。
该器件主要用于射频和微波领域中的信号放大和处理。典型应用场景包括：
1. 高频功率放大器设计。
2. 射频开关和调制解调器。
3. 无线通信设备中的发射机和接收机模块。
4. 工业、科学及医疗 (ISM) 频段的电子设备。
5. 雷达系统和卫星通信系统的前端电路。
2SK198, 2SK198-Q
