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2SK197-C-RTK 发布时间 时间:2025/9/11 14:55:12 查看 阅读:8

2SK197-C-RTK 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效率和高可靠性的开关电源和电机控制电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性等特点,适用于工业自动化设备、汽车电子系统和消费类电子产品中的电源管理应用。2SK197-C-RTK 采用SOT-223封装形式,具备良好的散热性能和紧凑的体积,适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):60V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):500mA
  脉冲漏极电流(IDM):1.5A
  导通电阻(RDS(on)):3.5Ω @ VGS = 10V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:SOT-223

特性

2SK197-C-RTK 具备一系列显著的性能特点,使其适用于多种高要求的电子应用。首先,其低导通电阻(RDS(on))可以显著降低在导通状态下的功率损耗,提高整体系统的效率。这对于需要长时间运行的设备尤为重要,如不间断电源(UPS)或工业控制设备。
  其次,该MOSFET具备较高的栅极绝缘性能,能够承受±20V的栅源电压,这使得它在面对电压波动时依然能够保持稳定运行。此外,2SK197-C-RTK 采用的SOT-223封装形式不仅提供了良好的散热能力,还有助于减小PCB的占用空间,特别适用于小型化和高密度电路设计。
  此外,2SK197-C-RTK 的工作温度范围为-55°C至150°C,表明其在极端环境条件下依然能够保持可靠的性能。这种宽温度范围特性使其适用于汽车电子、航空航天和户外设备等严苛环境下的应用。
  最后,该器件具备较高的耐用性和较长的使用寿命,适用于需要高可靠性的应用场景。其设计和制造工艺确保了在高频开关操作中的稳定性和一致性,从而减少了因器件不稳定导致的系统故障率。

应用

2SK197-C-RTK 的应用领域广泛,主要涵盖以下几个方面:
  1. **电源管理**:用于DC-DC转换器、AC-DC适配器和电池管理系统中的开关元件,提供高效能和稳定输出。
  2. **电机控制**:在小型电机驱动电路中作为开关元件使用,适用于家电、电动工具和工业自动化设备。
  3. **汽车电子**:用于车载充电系统、LED照明驱动和车身控制模块,满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的需求。
  4. **消费类电子产品**:如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路,提供紧凑和高效的解决方案。
  5. **工业自动化**:用于PLC(可编程逻辑控制器)和传感器模块中的开关控制,确保长时间运行的稳定性与可靠性。
  6. **测试与测量设备**:在电源供应器和信号调节电路中用作开关元件,保证测试设备的高精度和稳定性。

替代型号

2SK197-C-RTK 的替代型号包括 2SK241-Y、2SK302-Y 和 2SK170-L。这些型号在参数和封装上具有相似的特性,可以作为替代选择,但使用前需确认具体的应用需求和兼容性。

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