2SK1968 时间：2025/9/7 17:47:08 阅读：29

2SK1968 是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于音频功率放大器、电源转换和开关应用中。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热稳定性和较高的电流承受能力，适合高保真音频设备及电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：15A（连续）
　　最大功耗(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻(Rds(on))：约0.08Ω（典型值）
　　封装形式：TO-220

特性

2SK1968具有较低的导通电阻，这使得它在高电流工作条件下具有更低的功率损耗，提高了系统的效率。其高耐压能力（100V）使其适用于多种电源管理和放大器电路。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定运行，适用于要求较高的工业和音频应用。TO-220封装提供了良好的散热性能，便于安装在标准的散热片上。
　　2SK1968的栅极驱动特性较为平滑，适合用作开关元件，能够在高频条件下稳定工作，适用于PWM控制和DC-DC转换器等应用。
　　该器件还具有较强的抗冲击电流能力，能够承受短时间的高电流负载，增强了系统的可靠性和耐用性。

应用

2SK1968 主要用于音频功率放大器中的输出级，特别是在高保真音响系统中作为功率开关器件使用。此外，它也常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及各种需要高电流和高耐压特性的功率电子设备中。
　　由于其良好的热稳定性和封装散热设计，该MOSFET适用于需要长时间连续工作的电源系统和工业控制装置。在音频应用中，2SK1968因其低导通电阻和良好的线性特性，能够提供清晰、失真小的声音输出。