时间：2025/5/20 8:49:32
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2SK1960-T1是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），属于高功率半导体器件，广泛应用于射频放大器、音频功率放大器以及其他需要高效能和低失真的场景中。该器件具有极低的导通电阻和较高的增益特性，适用于要求高性能输出的电路设计。
2SK1960系列是许多专业音响设备、通信系统以及工业电子领域中的关键元件。其T1封装形式适合高频及高功率应用场合，同时具备良好的散热性能。
最大漏源电压：70V
最大栅源电压：±10V
最大漏极电流：5A
输出电容：约300pF
跨导：最小8S
功耗：100W
工作温度范围：-55℃至+150℃
2SK1960-T1的主要特点是其卓越的线性表现和稳定性。它在高频工作条件下仍能保持较低的噪声水平，并且能够承受较大的电流波动而不会显著降低效率。
此外，这款MOSFET还具有以下优势：
1. 高增益值确保了信号放大的精确度；
2. 极低的开启阈值电压简化了驱动电路的设计过程；
3. 强大的热管理能力延长了使用寿命；
4. 封装结构紧凑但坚固耐用，便于集成到各种复杂的电子系统当中。
2SK1960-T1适用于多种高要求的应用场景，包括但不限于：
1. 专业级音响设备中的功率放大模块；
2. 无线通信基站的射频功率放大器部分；
3. 工业控制领域的开关电源转换器；
4. 汽车电子系统中的负载驱动电路；
5. 医疗成像设备及其他精密仪器的核心组件。
2SK1961, IRF540N, BUZ11
