2SK1957是一款N沟道功率MOSFET,广泛用于需要高效率和高可靠性的电子设备中。这款MOSFET由东芝公司制造,设计用于高电流和高电压应用场景,例如在电源管理、电机控制和DC-DC转换器中。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):约2.3mΩ(典型值)
功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至150°C
2SK1957具有较低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗和发热。该MOSFET采用先进的制造工艺,提供了优异的热稳定性和电气性能。其封装设计支持高效的散热,从而确保了器件在高负载条件下的可靠性。此外,2SK1957还具备较高的开关速度,适用于高频开关电源设计,减少了开关损耗并提高了系统效率。该器件的高耐用性和稳定性使其成为工业级应用的理想选择。
这款MOSFET的栅极设计允许较高的栅源电压,从而提高了控制灵活性。此外,其短路耐受能力增强了器件在严苛环境下的性能和寿命。2SK1957的高可靠性设计使其在汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中得到了广泛应用。
2SK1957适用于多种高功率应用,例如电源供应器、电机驱动器、DC-DC转换器和电池管理系统。在汽车电子领域,它可用于电动车和混合动力车的电力管理系统。此外,该MOSFET还可用于工业自动化设备、高功率LED照明系统以及不间断电源(UPS)等应用场景。
2SK1958, 2SK1960, IRF1405, SiR144DP