2SK1952 时间：2025/8/7 13:49:34 阅读：28

2SK1952是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产，广泛用于高功率开关应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和高电流容量的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A（在Tc=25℃时）
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.035Ω（最大值）
　　封装形式：TO-220

特性

2SK1952具有低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流容量和良好的热稳定性使其适用于高功率密度设计。
　　该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于多种功率电子设备。
　　此外，2SK1952具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣工作环境下稳定运行，提高系统的可靠性。
　　由于其快速开关特性和低栅极电荷（Qg），该器件适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和同步整流器。
　　整体而言，2SK1952是一款性能优异的功率MOSFET，适用于多种工业和电源管理应用。

应用

2SK1952广泛应用于各类高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机驱动器。
　　在电源管理领域，该器件可用于高效能电源模块和负载开关控制。
　　在工业自动化设备中，2SK1952可作为高电流开关，控制电机、继电器或其他功率负载。
　　此外，该MOSFET还可用于电池管理系统、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，以实现高效能和高可靠性的电源转换。
　　由于其良好的热性能和抗干扰能力，2SK1952也适用于汽车电子系统，如车载充电器和电机控制模块。