时间：2025/9/7 17:30:17
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2SK1947 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高频率开关应用，例如在DC-DC转换器、电源管理和电机驱动等场合。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高速开关特性。2SK1947 通常采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：5A
最大漏源电压：60V
导通电阻（Rds(on)）：≤0.46Ω @ Vgs=10V
栅极电压范围：±20V
最大功耗：30W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-220
2SK1947 是一款性能优越的N沟道功率MOSFET，具有多项显著的电气和物理特性。首先，它的最大漏极电流为5A，能够处理相对较大的负载电流，适用于中等功率级别的开关应用。其最大漏源电压为60V，这使得该器件适用于多种中压电源管理场景，例如电池供电设备、DC-DC转换器以及电源适配器。
该器件的导通电阻（Rds(on)）在Vgs=10V时最大为0.46Ω，这一低值有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。此外，低导通电阻还能降低MOSFET在工作时产生的热量，有助于提高热稳定性和延长使用寿命。
2SK1947 的栅极电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，并具备较强的抗干扰能力。这种特性使得它可以在不同的控制电路中稳定运行，例如PWM控制的开关电源或电机驱动电路。
该器件的最大功耗为30W，结合其TO-220封装形式，具备良好的散热能力，适用于连续工作或高负载环境。此外，2SK1947 的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适应各种工业环境的需求。
综上所述，2SK1947 凭借其低导通电阻、高电流处理能力、良好的散热设计以及宽广的工作温度范围，成为一款适用于多种电源管理和功率控制应用的高性能MOSFET。
2SK1947 广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效能功率管理的场合。例如，在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，以实现高效的电压转换。此外，在电源适配器、电池充电器以及LED驱动电路中，2SK1947 也能发挥出色的开关性能，帮助提升能效和减少热量产生。
在电机控制应用中，如无刷直流电机（BLDC）驱动器或步进电机控制器，2SK1947 可作为功率开关元件，实现快速响应和精确的电流控制。同时，由于其具备良好的耐压和散热能力，也常用于工业自动化设备和嵌入式控制系统中，确保设备在长时间运行下的稳定性和可靠性。
此外，该MOSFET还可用于电源管理模块，如负载开关、电源选择电路以及热插拔控制器等，适用于服务器、通信设备和工业计算机等高端电子产品。
2SK2648, 2SK2141, 2SK1633
