2SK1946 时间：2025/8/9 14:54:21 阅读：5

2SK1946 是一款由东芝（Toshiba）公司制造的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），常用于高功率音频放大器、电源开关和电机控制等应用。该器件具有低导通电阻、高耐压以及良好的热稳定性等特点，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：15A
　　最大漏-源电压：250V
　　最大栅-源电压：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
　　功耗：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK1946 MOSFET具备低导通电阻，这有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。其高耐压特性允许在较高的电压环境下稳定工作，适用于电源管理和功率放大器设计。
　　此外，该器件的封装形式为TO-220，这种封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下的可靠性。2SK1946还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统的响应速度。
　　在设计中，该MOSFET还表现出良好的线性度和稳定性，这使其成为音频放大器设计中的优选器件。其高电流能力和优异的热性能也使其在工业控制和电机驱动应用中表现优异。

应用

2SK1946广泛应用于高功率音频放大器、开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机控制和功率调节电路。由于其优异的电气特性和热稳定性，它特别适合于需要高可靠性和高效率的电子系统设计。在音频放大器中，2SK1946能够提供高质量的音频输出，减少失真并提高音质表现。在工业控制领域，该器件可用于驱动大功率负载，如电机和加热元件。