时间：2025/8/8 23:49:34
阅读：19
2SK1945-01L 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、电源管理和电机控制等应用。该器件采用高密度单元设计，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高效率和高功率密度的电源系统。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：900V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：4.5A（连续）
漏极峰值电流（Idm）：18A
导通电阻（Rds(on)）：约2.2Ω（典型值，具体取决于Vgs）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220SIS
功率耗散（Pd）：50W
2SK1945-01L MOSFET具有多项关键特性，适用于高要求的功率应用。首先，其漏源电压高达900V，使其适用于高电压输入的开关电源和工业控制设备。其次，漏极电流为4.5A（连续），且可承受高达18A的峰值电流，具备良好的瞬态响应能力，适用于高动态负载的应用场景。
该器件的导通电阻约为2.2Ω，确保在工作过程中降低功率损耗，提高系统效率。同时，快速的开关特性降低了开关损耗，有助于提高工作频率，从而减小外部元件的尺寸。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，其封装设计支持良好的散热性能，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
2SK1945-01L采用TO-220SIS封装，具备良好的绝缘性能和机械稳定性，适用于多种工业和消费类电子设备。其宽工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保在各种环境条件下稳定运行。
2SK1945-01L MOSFET广泛应用于多个电力电子领域，包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机控制电路、照明设备以及工业自动化系统。由于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。此外，它也可用于电池管理系统、光伏逆变器以及智能电网设备中的功率调节模块。
2SK2141, 2SK2545, 2SK1318
