时间：2025/8/9 15:28:01
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2SK1938-01R 是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频率开关应用和功率放大器设计中。该器件由东芝公司生产，具有低导通电阻、高频响应和高可靠性等特点。2SK1938-01R 通常应用于DC-DC转换器、电源管理系统、电池供电设备以及各类便携式电子产品中。其封装形式多为小型SOP（Small Outline Package）封装，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：10V
最大漏极电流（Id）：4.4A
导通电阻（Rds(on)）：约34mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP-8
功率耗散（Pd）：2.5W
2SK1938-01R MOSFET具有多项优良特性，适用于高效率功率转换系统。首先，其低导通电阻可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件支持较高的栅源电压（最大10V），能够实现更好的导通性能。此外，2SK1938-01R采用了先进的沟槽式MOSFET结构，有助于提高开关速度并减少开关损耗。
该MOSFET具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于高温环境下的运行。SOP-8封装形式不仅节省空间，还便于自动化装配，提高了生产效率。此外，2SK1938-01R具备较强的抗干扰能力，适用于各种电磁环境复杂的电子设备。
该器件的高频响应能力使其适用于高频率开关电路，例如DC-DC降压或升压转换器、同步整流器以及电机驱动电路等。其4.4A的连续漏极电流能力使其在中等功率应用中表现出色。
2SK1938-01R MOSFET主要应用于以下领域：
1. DC-DC转换器：在降压（Buck）或升压（Boost）转换器中作为主开关元件，用于高效电源管理。
2. 电源管理系统：用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中的电源控制电路。
3. 电池供电设备：如无线传感器、便携式医疗设备等，用于高效能量转换和延长电池寿命。
4. 电机驱动：用于小型电机控制电路，提供快速响应和高效的功率输出。
5. 负载开关：在各类电子设备中作为电源开关，控制电路的通断状态。
6. 高频逆变器：用于UPS、太阳能逆变器等设备中的高频功率转换。
2SK2013-01R, 2SK3455-01R, Si2302DS, FDS6675
