时间：2025/8/9 17:13:34
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2SK1936-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源转换设备，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和负载开关等应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，能够在较高的开关频率下工作，从而提高整体系统的效率。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A（在Tc=25°C时）
导通电阻（RDS(ON)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220AB
2SK1936-01 MOSFET具有多项优异特性，适用于高性能电源设计。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）可显著降低导通损耗，提高转换效率。其次，该器件支持高电流承载能力，额定连续漏极电流高达60A，适用于大功率应用。此外，2SK1936-01采用TO-220AB封装，具备良好的散热性能，可在较高功率下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。同时，该MOSFET具有较高的耐用性和热稳定性，适合在苛刻的工业环境下使用。
2SK1936-01适用于多种电源管理和功率转换应用。常见应用包括高效率DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及开关电源（SMPS）中的主开关元件。此外，它也可用于电池管理系统、服务器电源、通信设备电源模块以及电动汽车（EV）充电系统中的功率开关。
2SK2545, SiR862DP
