2SK1927 时间：2025/12/28 9:22:36 阅读：11

2SK1927是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率功率控制的电子设备中。该器件采用先进的平面栅极硅门极工艺技术制造，具有优良的电气性能和可靠性。2SK1927封装形式为SIP-7（单列直插式7引脚），适合通孔安装，具备良好的散热性能，适用于中等功率应用场合。该MOSFET设计用于高频开关操作，在低导通电阻与快速开关速度之间实现了良好平衡，从而提高了系统整体能效。由于其优异的雪崩能量耐受能力和坚固的结构设计，2SK1927在面对电压瞬变和负载突变等恶劣工作条件下仍能保持稳定运行。此外，该器件还具备较低的栅极电荷和输入电容，有助于减少驱动损耗并提升开关速度，是工业控制、消费类电源及照明电源中的理想选择之一。

参数

型号：2SK1927
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：500 V
　　连续漏极电流ID：7 A
　　脉冲漏极电流IDM：28 A
　　功耗PD：50 W
　　导通电阻RDS(on)：0.65 Ω（最大值，@ ID = 3.5A, VGS = 10V）
　　阈值电压VGS(th)：2.0 ~ 4.0 V（@ ID = 1mA）
　　栅极-源极电压VGS：±30 V
　　工作结温范围Tj：-55 ~ +150 ℃
　　封装类型：SIP-7

特性

2SK1927具备出色的电气特性和热稳定性，能够在高温环境下长期可靠运行。其低导通电阻RDS(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的转换效率，尤其适用于高频率开关电源设计。该器件的栅极电荷Qg较低，意味着在每次开关过程中所需的驱动能量较少，从而降低了驱动电路的设计复杂度，并有助于提升整体系统的能效表现。同时，较小的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）使其在高频工作时具有更快的响应速度和更低的开关损耗。
　　该MOSFET采用了优化的平面栅结构，增强了器件的耐压能力与电流处理能力，确保在高电压、大电流条件下仍能保持稳定的性能。其额定漏源击穿电压高达500V，能够适应宽范围的输入电压波动，适用于通用交流输入（85~265VAC）的开关电源设计。此外，2SK1927具有较强的抗雪崩能力，能够在意外过压或感性负载关断时吸收一定的能量而不损坏，提升了系统的鲁棒性与安全性。
　　从热管理角度看，SIP-7封装提供了良好的散热路径，允许器件在自然对流或加装小型散热片的情况下有效散发热量，避免因温升过高而导致性能下降或失效。该封装也便于手工焊接和自动化生产，适合多种制造工艺。2SK1927符合RoHS环保要求，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环境友好性的需求。其高度集成的设计减少了外围元件数量，简化了电路布局，有利于缩小整机体积并降低成本。综上所述，2SK1927是一款性能优越、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种中等功率应用场景。

应用

2SK1927广泛应用于各类开关模式电源（SMPS）中，包括AC-DC适配器、充电器、PC电源、液晶电视电源板以及工业电源模块等。其高耐压和中等电流能力使其特别适用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的电源设计。此外，该器件也可用于DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路以及各种需要高效功率开关功能的工业控制设备中。得益于其良好的热性能和电气稳定性，2SK1927在长时间连续运行的环境中表现出色，适用于家用电器、办公设备和通信设备中的电源部分。在照明领域，如节能灯和LED照明电源中，该器件可用于实现高效的能量转换和调光控制。同时，由于其具备较强的抗干扰能力和过压承受能力，2SK1927也可应用于存在电压波动或电磁干扰较严重的工业现场环境。总之，凡是需要高效率、高可靠性的中小功率开关应用，2SK1927都是一个值得信赖的选择。