2SK1921 时间：2025/12/28 9:12:39 阅读：13

2SK1921是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效功率控制的电子设备中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高频开关操作。2SK1921封装形式为SIP-7（单列直插式7引脚），这种紧凑型封装不仅节省电路板空间，还具备良好的散热性能，适合在高密度组装环境中使用。作为一款增强型MOSFET，2SK1921在栅极施加正电压时导通，能够有效控制漏极与源极之间的电流流动。其设计注重热稳定性和电气稳定性，在长时间运行条件下仍能保持优异的性能表现。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，适用于现代绿色电子产品设计。由于其出色的电气特性和稳定的制造工艺，2SK1921被广泛用于消费类电子产品如电视、显示器、笔记本适配器以及工业电源系统中。

参数

型号：2SK1921
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：7 A（连续）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：28 A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　阈值电压（Vth）：4.0 V（典型值）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55 Ω（最大值，@ Vgs=10V, Id=3.5A）
　　输入电容（Ciss）：1100 pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：380 pF（@ Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：60 pF（@ Vds=25V）
　　功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SIP-7

特性

2SK1921具备多项关键特性，使其成为高性能功率开关应用中的理想选择。首先，其高达500V的漏源击穿电压确保了在高压环境下的安全运行，适用于离线式开关电源设计，尤其是在AC-DC转换器中可直接接入整流后的市电电压而无需额外的降压电路。其次，较低的导通电阻Rds(on)显著降低了导通损耗，提高了整体电源效率，这对于追求高能效和低发热的设计至关重要。此外，该器件具有快速的开关速度，得益于较小的输入和输出电容，能够在高频下实现高效的能量转换，减少磁性元件的体积和重量，从而支持小型化电源模块的设计。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性。2SK1921采用SIP-7封装，该封装具有较大的金属片连接到漏极，有利于热量传导至散热器或PCB上的铜箔区域，从而有效降低结温上升，延长器件寿命。同时，该MOSFET具备较高的栅极阈值电压（约4.0V），这有助于防止因噪声干扰导致的误触发，提升系统在电磁干扰较强环境下的可靠性。此外，±30V的最大栅源电压允许在驱动电路设计中留有足够裕量，避免因驱动信号过冲造成栅氧层击穿。
　　2SK1921还表现出优异的雪崩耐受能力，在突发负载变化或短路情况下能够承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。其一致的批次间参数偏差和严格的品质控制流程也保证了大规模生产中的可靠性与一致性。综合这些特性，2SK1921不仅满足基本的开关功能需求，还能在复杂工况下提供稳定、高效的性能表现，适用于对可靠性和效率要求较高的工业与消费类电源产品。

应用

2SK1921主要应用于各类中等功率的开关模式电源（SMPS）系统中，典型用途包括反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥式（Half-Bridge）拓扑结构的AC-DC电源适配器、LCD电视和显示器的内置电源模块、打印机、复印机等办公自动化设备的供电单元。此外，它也可用于DC-DC转换器中作为主开关管，特别是在升压（Boost）或降压-升压（Buck-Boost）电路中实现高效的能量转换。由于其高耐压和良好的热性能，该器件常被选用于需要长期稳定运行的工业控制设备电源部分。在照明领域，2SK1921可用于LED驱动电源，特别是在隔离式恒流驱动方案中发挥关键作用。同时，它也适用于电池充电器、逆变器以及小型不间断电源（UPS）等设备中，承担主功率开关的角色。得益于其SIP-7封装易于安装和焊接的特点，2SK1921在自动化贴片和波峰焊工艺中表现出良好的兼容性，因此在大批量电子产品制造中得到广泛应用。