2SK1917是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,尤其适用于需要高效率和高可靠性的功率开关场合。该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能和较高的耐用性。
类型:N沟道
漏源电压(VDS):60V
漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(on)):0.35Ω(最大)@ VGS = 10V
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220
2SK1917具备优异的导通性能和快速开关特性,能够在高频条件下稳定工作。其低导通电阻有助于降低功率损耗,提高系统效率。此外,该器件的热阻较低,具备良好的散热能力,从而提高了整体的可靠性和寿命。其结构设计优化了开关损耗,使其适用于高效率的DC-DC转换器和电机驱动电路。
该MOSFET还具备较强的抗过载能力和良好的短路保护性能,使其在恶劣的工作环境中依然能够保持稳定运行。此外,其封装设计符合RoHS标准,适合环保应用。
2SK1917常用于电源管理电路、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制、LED驱动器以及各种需要高效功率开关的电子设备中。由于其高可靠性和优异的热性能,它也适用于汽车电子和工业自动化等高要求领域。
2SK2140, 2SK2648