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2SK1916 发布时间 时间:2025/8/9 15:08:19 查看 阅读:29

2SK1916 是一款由日本东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高功率放大器和音频放大器等应用中。这款MOSFET具有良好的导通性能和高电流承载能力,适用于音频功放设计、开关电源、马达控制以及其他需要高稳定性和高效率的电路设计中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大漏极电流(ID):连续15A(25℃)
  功耗(PD):150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-220AB

特性

2SK1916 的主要特性之一是其高电流承载能力,能够支持连续15A的漏极电流,这使得它非常适合用于高功率放大器的设计。此外,该器件具有较低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗并提高整体效率。
  另一个显著特点是其良好的热稳定性,TO-220AB封装能够有效散热,确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。同时,该MOSFET的栅极驱动电压较低,兼容常见的10V或12V驱动电路,方便集成到各种电子系统中。
  此外,2SK1916 还具备良好的开关特性,能够在高频下稳定工作,适用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器等高频应用。其±20V的栅源电压耐受能力也增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性,减少因过压或瞬态电压导致的损坏风险。
  最后,这款MOSFET在音频放大器应用中表现出色,具有低失真和高保真特性,适合用于Hi-Fi音频功放、低音炮放大器等对音质要求较高的场合。

应用

2SK1916 广泛应用于多个高功率电子系统中,尤其是在音频放大器设计中被广泛采用。它适用于高保真音频功放(Hi-Fi Amplifiers)、低音炮(Subwoofer Amplifiers)和功放模块的设计,提供高质量的音频输出和稳定的性能。
  此外,该MOSFET也常用于开关电源(Switching Power Supplies)、DC-DC转换器和马达驱动电路中,其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能电源转换系统的理想选择。
  在工业控制和自动化系统中,2SK1916 也可用于驱动继电器、电磁阀和高功率LED照明系统,确保设备在高负载下仍能稳定运行。
  由于其优异的热管理和高频响应特性,该器件也适用于逆变器(Inverters)和不间断电源(UPS)等关键电力电子系统中。

替代型号

2SK1428, 2SK1529, IRFZ44N

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