型号：2SK1901
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：500mA（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：1.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：6.5Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：27pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：10pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：3.5pF（@Vds=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

2SK1901具备多项关键特性，使其成为低功率开关应用中的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下能量损耗最小化，提升了整体能效。这一特性对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。其次，该器件的阈值电压较低，典型值约为1.0V至2.5V之间，支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V微控制器输出引脚驱动，无需额外的电平转换或推挽驱动电路，极大简化了设计复杂度。
　　另一个显著特点是其高速开关能力。得益于较小的栅极电荷和低寄生电容，2SK1901能够在高频条件下稳定工作，适用于高达数百kHz甚至更高的开关频率场景，如高效DC-DC升压/降压转换器和LED恒流驱动电路。此外，器件的输入、输出及反向传输电容均处于较低水平，这不仅减少了驱动所需的功率，还降低了噪声耦合的可能性，提升了系统的EMI性能。
　　从可靠性角度来看，2SK1901采用了坚固的硅基工艺和优化的结构设计，具备较强的抗过载与热冲击能力。其最大结温可达+150°C，在正常散热条件下可长期稳定运行。同时，该MOSFET具有一定的抗雪崩能量承受能力，能够在瞬态电压突变时提供一定程度的自我保护。此外，器件对静电敏感度进行了优化处理，但仍建议在装配过程中采取适当的ESD防护措施以确保良率。
　　最后，SOT-23小型封装形式使得2SK1901非常适合用于紧凑型PCB布局，尤其适用于智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等对体积要求严格的电子产品中。综合来看，2SK1901凭借其低功耗、高响应速度、易驱动和高集成度的优势，成为现代低功率电源管理方案中的关键元件之一。

2SK1901广泛应用于多种低电压、小电流的开关与电源管理场景。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔管理。此外，该器件也常用于DC-DC转换器电路中，作为同步整流开关或主开关元件，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）及反激式（Flyback）拓扑结构中发挥重要作用，提升转换效率并减少发热。
　　在LED照明领域，2SK1901可用于驱动小型白光LED或RGB指示灯，通过PWM调光方式精确控制亮度。由于其快速的开关响应特性，能够很好地适应高频调光需求，避免闪烁现象。同时，该MOSFET也可作为电池充电管理电路中的充放电控制开关，配合充电IC实现过充、过放保护功能。
　　工业与通信设备中，2SK1901被用于信号路由切换、继电器替代、电机驱动中的低端开关以及各类传感器电源控制。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，适用于环境条件较为严苛的应用场合。此外，在嵌入式系统和微控制器外围电路中，常用于GPIO扩展驱动、电源选通或多路复用控制等功能模块。
　　值得一提的是，由于其封装小巧且易于自动化贴装，2SK1901非常适合大规模生产中的SMT（表面贴装技术）工艺，有助于降低制造成本并提高组装效率。因此，无论是在消费类电子产品、智能家居设备还是医疗电子装置中，该器件都扮演着不可或缺的角色。

2SK3018
　　2SK2232
　　DMG2305U
　　FDS6670A
　　ZXM61N03F