类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：20A（在25°C环境温度下）
　　最大功耗(Pd)：62.5W
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为27mΩ（在Vgs=10V条件下）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：SOP（表面贴装）

2SK1881(LS) 采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高能效。其高电流容量和良好的热性能使其适用于高功率密度的设计。此外，该MOSFET具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸并提升系统效率。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，能够在恶劣的电气环境下可靠运行。LS版本的表面贴装封装不仅有助于提高焊接可靠性和制造良率，还能够适应现代自动化生产线的需求，降低整体生产成本。
　　为了确保在各种应用中的稳定性，2SK1881(LS) 内部设计了优化的栅极结构，以减少高频开关过程中可能产生的振荡和电磁干扰（EMI）。此外，其宽泛的工作温度范围也使其适用于高温环境下的应用，例如工业控制、汽车电子系统等。

2SK1881(LS) 主要用于需要高效功率转换的场合，例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、马达控制器和电源管理单元等。在消费类电子产品中，它常被用于笔记本电脑、平板电脑和智能电源适配器中的电源转换模块。
　　由于其高效率和紧凑的封装形式，该MOSFET也广泛应用于新能源设备，如太阳能逆变器、电动车驱动系统以及储能系统的功率电路中。在工业自动化领域，该器件可用于PLC控制模块、伺服驱动器和工业电源模块的设计中。
　　此外，2SK1881(LS) 也可用于音频放大器中的电源部分，提供稳定高效的电源供应，确保音频设备的高性能输出。

Si7496BDP-T1-GE3, FDS6680, IRFZ44N