类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大6.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

2SK1880-01STL MOSFET 具备多项高性能特性，适用于高效率功率转换系统。其主要特性包括：
　　1. **低导通电阻**：Rds(on) 最大为6.5mΩ，降低了导通损耗，提高了系统效率。
　　2. **高电流能力**：连续漏极电流可达120A，适合高功率输出应用。
　　3. **高速开关性能**：具备低输入电容（Ciss）和低开关损耗，适合高频工作环境。
　　4. **高可靠性**：采用东芝先进的沟槽式MOSFET技术，确保器件在高温和高压下稳定运行。
　　5. **优良的热管理**：SOP封装提供良好的散热性能，增强器件在高负载条件下的稳定性。
　　6. **宽工作温度范围**：支持-55°C至+150°C的工业级温度范围，适用于严苛环境下的电子设备。

2SK1880-01STL 适用于多种功率电子系统，包括：
　　1. **DC-DC转换器**：用于服务器电源、电信设备和工业电源中的升压或降压变换。
　　2. **同步整流器**：提高AC-DC电源转换效率。
　　3. **电机驱动**：适用于无刷直流电机控制和电动车控制器。
　　4. **电池管理系统（BMS）**：用于电池充放电保护和控制电路。
　　5. **负载开关**：作为高电流负载的开关元件，如服务器风扇控制、电源分配单元（PDU）等。
　　6. **逆变器和UPS系统**：用于不间断电源和光伏逆变器中的功率开关元件。

2SK2545, 2SK3018, SiR142DP, IRF1405, IPD90N03S4-01