2SK1869S 时间：2025/9/7 15:37:09 阅读：21

2SK1869S 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。该器件设计用于在高频条件下工作，提供出色的导通电阻和开关性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等应用。2SK1869S采用小型SOP（Small Outline Package）封装，确保在有限空间内的高效安装。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：1.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

2SK1869S MOSFET具有低导通电阻的特点，使其在高电流应用中表现出色，同时降低了功率损耗和发热。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V驱动电压，从而简化了电路设计并提高了兼容性。
　　此外，2SK1869S具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能，适合工业级应用环境。
　　其小型SOP封装不仅节省了PCB空间，还便于自动化装配和高密度电路布局。
　　该MOSFET的高频开关特性使其适用于高效率电源转换系统，如DC-DC转换器和同步整流器。

应用

2SK1869S 主要应用于电源管理系统，包括便携式电子设备的电源开关、DC-DC转换器和电池管理系统。
　　它适用于小型电机控制电路，用于驱动小型直流电机或步进电机。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，2SK1869S可用于负载开关或电源管理模块。
　　该器件还广泛用于工业控制系统中的信号开关和功率调节电路。
　　此外，2SK1869S也适用于需要高效能和低功耗的嵌入式系统和物联网（IoT）设备。