2SK1862 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的N沟道功率MOSFET,主要用于高频开关应用。该MOSFET具备较高的耐压能力和较低的导通电阻,适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动和各种高频率开关电路中。2SK1862采用TO-220封装,具备良好的热稳定性和电气性能,适合工业和消费类电子设备中使用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):5A(连续)
导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω(最大值)
功率耗散(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
2SK1862 具备出色的高频性能和低导通损耗,适用于高效率的功率转换应用。其高耐压特性(900V Vds)使其在高输入电压应用中表现出色,如AC-DC电源适配器和工业电源系统。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±30V),增强了其在不同驱动电路中的适用性,同时具备良好的抗过压能力。
导通电阻较低(最大1.2Ω),有助于减少功率损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,TO-220封装能够有效散热,支持较高的连续工作电流(5A)。
2SK1862适用于多种开关拓扑结构,如反激式(Flyback)、正激式(Forward)、半桥(Half-Bridge)和全桥(Full-Bridge)电路,广泛应用于电源、照明、电机控制和自动化设备中。
2SK1862 主要用于高频开关电源、DC-DC转换器、LED驱动器、电机驱动器、逆变器以及工业控制设备中。其高耐压和良好的导通性能也使其适用于低功率AC-DC转换器、充电器和适配器等应用。
在电源管理方面,2SK1862可以作为主开关器件,用于构建高效率的SMPS(开关电源)系统,支持较高的开关频率,从而减小变压器和滤波元件的尺寸。
此外,该器件还可用于高频加热、电子镇流器和不间断电源(UPS)等高可靠性要求的应用场景。
2SK2141, 2SK2545, 2SK1332