型号：2SK1836
　　极性：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：4.4A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：17.6A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：35mΩ（典型值，VGS=10V）
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：570pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=15V
　　功耗(PD)：1.5W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8 或 SOP-6（依具体版本而定）

2SK1836的最显著特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得它在传导大电流时能够有效降低功率损耗，从而提高系统的整体能效。在VGS=10V的工作条件下，其典型RDS(on)仅为35mΩ，这对于小尺寸封装的MOSFET而言是一个非常优异的表现。这种低阻特性尤其适用于需要高效率能量转换的应用场景，例如移动设备中的DC-DC降压变换器或负载开关电路。
　　另一个关键特性是其优秀的开关性能。得益于优化的沟槽栅结构，2SK1836具备较快的开关速度，能够支持较高的开关频率运行。这意味着它可以被用于高频PWM控制环境中，减少外部滤波元件的体积并提升电源响应速度。同时，较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）也有助于减小驱动损耗，使控制器更容易驱动该器件，尤其是在使用逻辑电平信号直接驱动时表现良好。
　　该器件还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大结温可达+150°C，可在较宽的环境温度范围内稳定工作，适用于车载电子、工业控制等严苛环境。此外，内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然不推荐作为主整流路径长期使用，但在瞬态反向电流路径中可提供必要的保护作用。
　　从封装角度来看，2SK1836采用的是小型表面贴装封装，如SOP-8或SOP-6，不仅节省PCB空间，而且便于自动化生产装配。但需要注意的是，由于封装尺寸较小，散热能力有限，因此在持续大电流工作条件下必须通过合理的PCB铜箔布局来增强散热效果，比如增加散热焊盘连接大面积GND层，以确保结温不会超过安全限值。

2SK1836主要应用于需要高效、小型化功率开关解决方案的电子系统中。一个典型的应用是在便携式消费类电子产品中作为电源管理单元的一部分，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关。在这种应用中，2SK1836用于控制不同功能模块的供电通断，利用其低导通电阻来最小化待机和运行状态下的能量损失，从而延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器中，特别是同步整流型降压（Buck）转换器中，2SK1836常被用作下管（Low-side MOSFET），负责在开关周期中实现低损耗的续流路径。其快速的开关响应能力和低RDS(on)使其非常适合此类高频切换操作，有助于提升转换效率并减少发热问题。
　　此外，该器件也可用于电机驱动电路中的低端驱动开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向切换。由于其能够承受一定峰值电流（脉冲电流达17.6A），因此可以应对电机启动时的浪涌电流冲击。
　　在LED驱动电路中，2SK1836可用于恒流调节或调光控制，特别是在需要PWM调光的场合，其快速开关特性可以确保精确的亮度控制。
　　其他潜在应用还包括电源多路复用、热插拔控制、电池充电/放电管理电路以及各类嵌入式控制系统中的固态开关替代机械继电器。这些应用场景都受益于其小型化封装、高可靠性和优良的电气性能。

TPSMB30A, SI4406ADY-T1-E3