时间：2025/8/9 10:20:51
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2SK1821-01M是一款N沟道MOS场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频率开关应用和功率放大器电路中。这款晶体管具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：0.35Ω（最大）
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至+150°C
2SK1821-01M MOSFET具有多项优良特性，包括低导通电阻（RDS(ON)）以减少功率损耗，提高能效；其高开关速度适用于高频应用，能够满足快速开关的需求。此外，该晶体管具有良好的热稳定性和高可靠性，可在较宽的温度范围内稳定工作。封装设计有助于快速散热，延长器件使用寿命。
该器件采用TO-220AB封装形式，便于安装和散热，适合在紧凑型电路设计中使用。其栅极驱动特性也较为优化，能够适配常见的驱动电路设计，降低设计复杂度。
2SK1821-01M广泛应用于各种电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统。此外，它也适用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的功率控制部分。
2SK2647, 2SK3018, IRFZ44N
