类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：10V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.2A
　　导通电阻（Rds(on)）：160mΩ @ Vgs = 4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：200mΩ @ Vgs = 2.5V
　　功率耗散（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP-8

2SK1819(-MR) MOSFET具有多项优异特性，使其在各种电子设备中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）在4.5V栅极驱动电压下仅为160mΩ，而在较低的2.5V栅极电压下也仅为200mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效。此外，该器件的额定漏极电流为4.2A，能够在较高负载条件下稳定工作，适用于多种功率应用。2SK1819(-MR)的SOP-8封装形式不仅节省了PCB空间，还便于进行自动化生产和表面贴装，提高了制造效率。同时，该器件具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内工作，适用于严苛的工业环境。此外，2SK1819(-MR)具有低栅极电荷（Qg），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而进一步提升整体系统效率。最后，该MOSFET具备良好的抗静电能力，能够有效防止因静电放电（ESD）导致的损坏，提高了器件的可靠性和使用寿命。

2SK1819(-MR) MOSFET因其优异的性能而被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器中，作为高效的开关元件，提高电源转换效率并减少热量产生。在电机控制领域，该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机，提供可靠的开关控制和过载保护。此外，2SK1819(-MR)还适用于负载开关应用，如USB电源开关、电池供电设备的电源管理模块等，能够在需要频繁开启和关闭负载的场合中表现出色。在LED照明系统中，该MOSFET可用于调光控制和电流调节，确保灯光输出的稳定性和效率。在工业自动化控制系统中，2SK1819(-MR)可用于驱动继电器、电磁阀等执行机构，提供快速响应和可靠的控制性能。由于其SOP-8封装形式，该器件也常用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，以实现高密度和高效率的电源管理。

Si2302DS, 2N7002, AO3400A, IRF7404, FDN340AN