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2SK1817-M(-MR) 发布时间 时间:2025/8/9 5:57:38 查看 阅读:1

2SK1817-M(-MR) 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等应用中。该器件采用小型SOP(小外形封装)或TSOP封装,适合在空间受限的设计中使用。2SK1817-M(-MR) 具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,能够有效提高电源转换效率并减少功率损耗。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):20V
  最大漏极电流(Id):100mA
  导通电阻(Rds(on)):约3.5Ω(典型值)
  功耗(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOP、TSOP

特性

2SK1817-M(-MR) MOSFET具备多项优良特性,适用于中低功率开关应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))可以有效降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。其次,该器件具有较快的开关速度,适合用于高频开关电路,如DC-DC转换器、负载开关和继电器驱动电路。
  此外,2SK1817-M(-MR) 采用小型封装,有助于节省PCB空间,适用于便携式设备和紧凑型电子产品设计。其栅极驱动电压范围较宽(一般为4.5V至10V),能够兼容多种控制电路,如微控制器和PWM控制器。
  在可靠性方面,该MOSFET具有良好的热稳定性和抗静电能力,能够在较为严苛的环境中稳定工作。其最大工作温度可达+150°C,适合在高温环境下运行。此外,2SK1817-M(-MR) 的封装设计也便于自动化贴片组装,提高了生产效率和焊接可靠性。

应用

2SK1817-M(-MR) MOSFET广泛应用于多种电子设备中。在电源管理领域,该器件可用于小型开关电源、DC-DC转换器以及电池供电设备中的负载开关控制。在工业自动化设备中,它可作为继电器替代方案,用于控制低功率负载的开关操作。
  此外,该MOSFET也适用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。其小型封装和低功耗特性使其成为便携设备中理想的开关元件。在汽车电子系统中,2SK1817-M(-MR) 可用于控制车灯、风扇或其他辅助设备的开关电路。
  由于其良好的开关特性和稳定性,该器件也常用于LED驱动电路、传感器信号切换以及逻辑电平转换等应用场景。

替代型号

2SK1817, 2SK1817-M, 2SK1817-MR

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