2SK1774 时间：2025/9/7 10:44:20 阅读：21

2SK1774 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于高频率开关应用和功率放大器电路中。该MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等高效率应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK1774具备出色的电气性能和热稳定性，其主要优势之一是高耐压能力，漏源电压可达到600V，使其适用于高电压功率转换系统。该器件的导通电阻较低，最大为0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，2SK1774的栅极驱动电压范围宽，可在±30V之间工作，提升了其在不同驱动电路中的适应性。该MOSFET的封装形式为TO-220，便于安装和散热，适用于多种工业和消费类电子产品。
　　在开关特性方面，2SK1774具有快速开关能力，适用于高频率工作环境，减少开关损耗。同时，其内部结构优化设计降低了寄生电容，提高了高频响应性能。这使得2SK1774非常适合用于开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC变换器和电机驱动电路中。