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2SK1774 发布时间 时间:2025/9/7 10:44:20 查看 阅读:5

2SK1774 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于高频率开关应用和功率放大器电路中。该MOSFET具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制等高效率应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  栅源电压(VGS):±30V
  漏极电流(ID):15A
  导通电阻(RDS(on)):0.35Ω(最大)
  功率耗散(PD):150W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

2SK1774具备出色的电气性能和热稳定性,其主要优势之一是高耐压能力,漏源电压可达到600V,使其适用于高电压功率转换系统。该器件的导通电阻较低,最大为0.35Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,2SK1774的栅极驱动电压范围宽,可在±30V之间工作,提升了其在不同驱动电路中的适应性。该MOSFET的封装形式为TO-220,便于安装和散热,适用于多种工业和消费类电子产品。
  在开关特性方面,2SK1774具有快速开关能力,适用于高频率工作环境,减少开关损耗。同时,其内部结构优化设计降低了寄生电容,提高了高频响应性能。这使得2SK1774非常适合用于开关电源(SMPS)、逆变器、DC-DC变换器和电机驱动电路中。

应用

2SK1774广泛应用于各类电力电子设备中,如开关电源、DC-DC转换器、马达控制模块、UPS(不间断电源)、照明系统(如HID灯镇流器)以及音频功率放大器等。由于其高耐压和低导通电阻的特性,它也常用于需要高效率和高可靠性的工业控制系统中。

替代型号

2SK1358, 2SK2142, IRFBC40, FQA16N60

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