2SK1764KYTL 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频、高功率应用。该器件采用了先进的沟槽式MOS结构,具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热稳定性。2SK1764KYTL 封装形式为SOT-227(也称为Mini SIPMold),适用于紧凑型电源设计,广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及电源管理系统中。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):最大值32mΩ(在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装:SOT-227(Mini SIPMold)
2SK1764KYTL MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了在高电流应用中的功率损耗,从而提高了整体系统效率。该器件的最大Rds(on)为32mΩ,在Vgs=10V的条件下,使其在高负载应用中表现尤为出色。
其次,2SK1764KYTL 的漏源电压(Vds)额定值为60V,能够承受较高的电压应力,适用于中压功率转换系统。栅源电压额定值为±20V,表明该器件具备良好的栅极保护能力,防止过压损坏。
此外,该MOSFET的最大漏极电流可达30A,适用于大电流负载切换应用。其150W的功率耗散能力结合SOT-227封装的优良散热性能,使其能够在较高温度环境下稳定运行。工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种工业和车载应用的严苛环境条件。
2SK1764KYTL 采用Toshiba先进的沟槽技术制造,具有高速开关能力,适用于高频率操作,从而减少开关损耗并提高系统响应速度。其Mini SIPMold封装结构不仅节省空间,还提高了封装的机械强度和可靠性。
2SK1764KYTL MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中,特别是在需要高效率、高电流和快速开关性能的场合。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、逆变器、电源模块以及车载电子设备中的功率控制电路。
在DC-DC转换器中,2SK1764KYTL 可作为主开关器件,用于高效地转换不同电压等级,适用于服务器电源、通信设备电源等场景。在电机控制应用中,其高电流承载能力和低导通损耗使其成为H桥驱动电路的理想选择。
此外,该器件也适用于太阳能逆变器、电动车电源系统等高可靠性要求的工业和汽车电子系统。其SOT-227封装结构使其易于安装在紧凑型PCB布局中,提升了设计灵活性。
SiHF60N30EF, IRFZ48N, FDP60N30, AUIRFZ48N