时间：2025/9/7 16:00:32
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2SK1764KYTL 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频、高功率应用。该器件采用了先进的沟槽式MOS结构，具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热稳定性。2SK1764KYTL 封装形式为SOT-227（也称为Mini SIPMold），适用于紧凑型电源设计，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及电源管理系统中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：最大值32mΩ（在Vgs=10V时）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：SOT-227（Mini SIPMold）
2SK1764KYTL MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了在高电流应用中的功率损耗，从而提高了整体系统效率。该器件的最大Rds(on)为32mΩ，在Vgs=10V的条件下，使其在高负载应用中表现尤为出色。
其次，2SK1764KYTL 的漏源电压（Vds）额定值为60V，能够承受较高的电压应力，适用于中压功率转换系统。栅源电压额定值为±20V，表明该器件具备良好的栅极保护能力，防止过压损坏。
此外，该MOSFET的最大漏极电流可达30A，适用于大电流负载切换应用。其150W的功率耗散能力结合SOT-227封装的优良散热性能，使其能够在较高温度环境下稳定运行。工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种工业和车载应用的严苛环境条件。
2SK1764KYTL 采用Toshiba先进的沟槽技术制造，具有高速开关能力，适用于高频率操作，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。其Mini SIPMold封装结构不仅节省空间，还提高了封装的机械强度和可靠性。
2SK1764KYTL MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效率、高电流和快速开关性能的场合。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、电源模块以及车载电子设备中的功率控制电路。
在DC-DC转换器中，2SK1764KYTL 可作为主开关器件，用于高效地转换不同电压等级，适用于服务器电源、通信设备电源等场景。在电机控制应用中，其高电流承载能力和低导通损耗使其成为H桥驱动电路的理想选择。
此外，该器件也适用于太阳能逆变器、电动车电源系统等高可靠性要求的工业和汽车电子系统。其SOT-227封装结构使其易于安装在紧凑型PCB布局中，提升了设计灵活性。
SiHF60N30EF, IRFZ48N, FDP60N30, AUIRFZ48N
