时间：2025/9/6 19:12:10
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2SK1763L 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理领域。该器件设计用于高频开关应用，具备低导通电阻和优良的热稳定性，适用于如DC-DC转换器、电源管理系统以及电机控制等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：60A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：0.018Ω（典型值）
耗散功率（PD）：120W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220AB
2SK1763L具有低导通电阻的特点，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备优异的热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行，同时内置的快速恢复二极管能够有效减少反向恢复时间，从而降低开关损耗。
该MOSFET的封装形式为TO-220AB，便于安装和散热，适用于多种电路设计需求。其高电流承载能力和耐高压特性使其成为高功率密度应用的理想选择。
此外，2SK1763L还具备良好的抗静电能力和过热保护功能，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。
2SK1763L通常应用于各类功率电子设备中，如电源供应器、电池充电器、逆变器、DC-DC转换器以及马达控制模块。此外，它也常用于工业自动化设备、通信电源模块以及消费类电子产品中的高效能电源管理系统中。
2SK1763L的替代型号包括2SK1762L和2SK1764L，这些型号在参数性能和封装形式上与2SK1763L相似，可以根据具体应用需求进行替换选择。
