2SK1738 时间：2025/9/20 13:22:39 阅读：6

2SK1738是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率开关性能的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于中等功率级别的应用场合。2SK1738通常封装在小型化的表面贴装封装（如TO-252或DPAK）中，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。其设计目标是提供优异的电气性能与可靠性，满足工业控制、消费类电子产品以及便携式设备对高效能功率开关的需求。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷和输入电容，能够显著降低驱动损耗，提高整体系统效率。器件还具备一定的雪崩能量耐受能力，在突发电压冲击下仍能保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。由于其优良的热阻特性和电流处理能力，2SK1738常被用于同步整流、负载开关、电池供电系统中的功率切换等关键电路中。

参数

型号：2SK1738
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：14A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：56A
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（Max，Vgs=10V，Id=7A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF（Typ，Vds=25V，Vgs=0V，f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：430pF（Typ）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（Typ）
　　栅极电荷（Qg）：30nC（Typ，Vds=30V，Id=14A）
　　功耗（Pd）：50W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

2SK1738具备出色的电气特性，使其成为中等功率开关应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为22mΩ（最大值），能够在高电流条件下显著降低导通损耗，从而提高电源转换效率，并减少散热需求。这对于紧凑型电源设计尤为重要。
　　其次，该器件具有较低的栅极电荷（Qg = 30nC典型值）和输入电容（Ciss = 1300pF），这意味着它可以在高频开关应用中实现快速的开关响应，同时降低驱动电路所需的功率，适合用于高频DC-DC变换器和PWM控制电路。
　　此外，2SK1738采用了坚固的平面硅栅技术，提供了良好的热稳定性和长期可靠性。其最大漏源电压为60V，可安全应用于12V至48V系统，如通信电源、LED驱动和电机控制等场景。
　　器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下吸收一定能量而不损坏，提高了系统在异常工况下的安全性。
　　TO-252（DPAK）封装不仅支持表面贴装工艺，便于自动化生产，而且具有较低的热阻（Rth(j-c) ≈ 2.5°C/W），有利于热量从芯片传导至PCB，进一步增强散热性能。
　　最后，2SK1738的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。这些综合特性使2SK1738在性价比和性能之间取得了良好平衡。

应用

2SK1738广泛应用于多种需要高效、可靠功率开关的电子系统中。其主要应用场景包括：开关模式电源（SMPS），特别是在降压（Buck）、升压（Boost）及升降压（Buck-Boost）拓扑结构中作为主开关或同步整流器使用；DC-DC转换模块，用于电信设备、服务器电源和嵌入式系统中，实现高效的电压调节；电机驱动电路，例如在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件，提供精确的电流控制能力。
　　此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，利用其低Rds(on)特性减少能量损耗，延长电池续航时间。
　　在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电源适配器、LED照明驱动电源等，2SK1738因其小尺寸封装和高效率表现而受到青睐。
　　工业控制领域中，它可用于PLC输出模块、继电器替代方案以及电磁阀驱动等场合，提升系统响应速度和可靠性。
　　由于其具备一定的浪涌电流承受能力和良好的热稳定性，2SK1738也可用于过流保护电路和热插拔控制器中，作为负载开关使用。
　　总之，凡是需要在60V以内进行高效功率切换的应用，2SK1738都是一个值得考虑的高性能MOSFET选项。