2SK173是一种N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制等高功率应用中。该晶体管由东芝(Toshiba)公司制造,具有较高的耐压能力和较大的电流承载能力,适合在高效率电源系统中使用。2SK173采用TO-220封装形式,便于安装和散热。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电压(Vds):900V
最大漏极电流(Id):9A
导通电阻(Rds(on)):约0.85Ω(典型值)
最大功率耗散(Pd):80W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
2SK173具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:该MOSFET的最大漏极电压可达900V,使其适用于高压开关电源和工业控制电路。
2. 低导通电阻:典型Rds(on)为0.85Ω,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。
3. 高电流承载能力:漏极最大电流为9A,适合中高功率应用,如电机驱动和DC-DC转换器。
4. TO-220封装设计:该封装具有良好的散热性能,便于在实际应用中安装和维护。
5. 快速开关特性:具备较快的开关速度,适用于高频开关电路,有助于减小电路体积和提升系统效率。
6. 热稳定性好:工作温度范围广,可在-55°C至+150°C环境下稳定工作,适应多种工业环境。
7. 栅极驱动简单:采用电压驱动方式,控制电路设计相对简单,易于集成到各种电子系统中。
2SK173常用于以下应用场景:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关元件,用于AC-DC转换器中,提高电源效率并减小体积。
2. DC-DC转换器:在升压(Boost)或降压(Buck)转换电路中作为功率开关使用。
3. 电机控制:用于直流电机或无刷电机的驱动电路中,实现高效能的电机调速控制。
4. 照明系统:在LED驱动电源或高压气体放电灯(HID)镇流器中作为开关元件。
5. 工业自动化设备:用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业控制系统中,提供高可靠性的功率开关功能。
6. 电池管理系统:用于充放电控制电路中,实现对电池组的高效管理。
2SK2143, 2SK1318, IRF840, 2SK2545