型号：2SK1704
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：23A
　　导通电阻RDS(on)：25mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V～2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（典型值，Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（典型值）
　　最大功耗（Pd）：1.25W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装形式：SOT-23

2SK1704具有出色的导通特性和快速开关能力，这是其核心优势之一。该器件采用东芝成熟的平面硅栅极技术，使得其在低栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻，从而显著降低传导过程中的能量损耗。尤其在Vgs为10V时，其典型RDS(on)仅为25mΩ，这意味着在通过大电流时产生的热量较少，有助于提高整个系统的能效。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，在连续工作状态下可支持高达5.8A的漏极电流，短时间内甚至可承受23A的脉冲电流，适用于需要瞬时高负载响应的应用场景。
　　另一个显著特点是其优秀的电容特性。2SK1704的输入电容（Ciss）为600pF，在同类产品中处于较低水平，这降低了栅极驱动电路的负担，使得控制器可以更轻松地实现快速开关动作，从而减少开关延迟和过渡损耗。同时，其输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss）也保持在合理范围内，有助于抑制高频噪声和防止串扰，提升整体系统的电磁兼容性（EMC）。
　　该器件还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大工作结温可达+150°C，并配备有热保护设计，能够在过载或高温环境下自动限制电流以防止损坏。结合SOT-23小型封装，虽然散热能力受限，但在合理布局和适当敷铜条件下仍可满足多数中等功率应用需求。此外，±20V的栅源电压耐受能力提供了较强的抗干扰能力和使用灵活性，避免因驱动信号波动导致器件击穿。这些综合特性使2SK1704在消费电子、工业控制及便携设备电源管理领域表现出色。

2SK1704主要应用于各种中低功率的开关电源系统，如AC-DC适配器、DC-DC降压或升压转换器，尤其是在需要高效率和小体积设计的场合表现突出。它常被用作同步整流器中的主控开关元件，利用其低导通电阻特性来替代传统二极管，大幅降低整流过程中的压降和发热问题，从而提升转换效率。此外，在电池供电设备中，例如智能手机、平板电脑、移动电源等，2SK1704可用于电源路径管理、充放电控制以及负载开关功能，确保系统在待机或运行状态下的功耗最优化。
　　在电机驱动方面，该MOSFET适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，作为上下桥臂的开关元件，实现正反转与调速控制。由于其具备较高的脉冲电流承受能力，能够应对电机启动瞬间的大电流冲击，保障系统稳定运行。另外，在LED照明驱动电路中，特别是便携式灯具或背光系统中，2SK1704可用于恒流调节或PWM调光控制，提供精确且高效的光源管理。
　　工业自动化设备中的传感器电源开关、继电器驱动模块以及各类嵌入式控制系统也是其常见应用场景。得益于SOT-23的小型封装，2SK1704特别适合高密度PCB布局，有利于缩小整体产品尺寸。同时，其宽泛的工作温度范围使其能在恶劣环境条件下可靠运行，适用于车载电子、户外设备等对稳定性要求较高的领域。

2SK3018,DMG2305U,MCH3311,SI2302DS,FDG330N