型号：2SK1701
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.65Ω（Max 0.85Ω, Vgs=10V, Id=3.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：900pF（典型值，Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：280pF
　　反向传输电容（Crss）：40pF
　　栅极电荷（Qg）：45nC（典型值，Vds=400V, Id=7A）
　　最大功耗（Pd）：50W（Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装：SIP-7

2SK1701具备多项关键特性，使其在众多功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，这对于提高电源转换效率至关重要，特别是在大电流应用场景下，能够有效减少发热并提升系统能效。该器件的Rds(on)最大值仅为0.85Ω，在同类产品中处于较优水平，保证了即使在恶劣工况下也能维持较低的压降。
　　其次，2SK1701具有较高的漏源击穿电压（500V），使其适用于多种高压开关电路，如反激式变换器、正激变换器和半桥拓扑结构中的主开关元件。这一耐压能力确保了在输入电压波动或瞬态过压情况下器件仍能安全运行，从而增强整个电源系统的可靠性。
　　第三，该MOSFET采用了优化的栅极结构设计，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少驱动电路的负担，同时降低开关过程中的噪声干扰。其栅极电荷Qg为45nC，属于中等偏低水平，这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较少，有利于简化驱动电路设计并提升整体效率。
　　此外，2SK1701具备良好的热稳定性和热阻特性，通过SIP-7封装实现了有效的散热路径，结到外壳的热阻约为2.5℃/W，使得在高功率密度设计中仍能保持合理的温升。器件的工作结温可达+150℃，表明其可在高温环境中长期稳定运行，满足工业级应用需求。
　　最后，2SK1701内置一定的雪崩能量承受能力，能够在负载突变或电感反冲等异常条件下提供一定程度的自我保护，避免因瞬时过压而导致永久性损坏。这些综合特性使2SK1701成为高性能开关电源和功率控制电路中的理想选择。

2SK1701主要应用于各类中高功率开关电源系统中，包括AC-DC适配器、离线式电源、LED驱动电源以及工业用DC-DC转换器。由于其具备500V的高耐压能力和7A的额定电流，特别适合用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中的主开关管角色，在这类电路中承担能量传递与断续控制的核心功能。此外，在小型UPS不间断电源、电子镇流器和充电器模块中也常见其身影，因其高效率和高可靠性能够满足长时间连续运行的要求。
　　在电机驱动领域，2SK1701可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用，实现对电机启停、转向和调速的精确控制。其快速的开关响应速度有助于减少换向过程中的能量损耗，提升驱动系统的动态响应性能。
　　另外，该器件也被广泛应用于通信设备的板载电源模块中，为FPGA、DSP和微处理器等核心芯片提供稳定的供电支持。在这些应用中，2SK1701通常配合PWM控制器构成同步整流或Buck降压电路，以实现高效的电压调节。
　　由于其SIP-7封装便于安装和焊接，且具备良好的散热性能，因此在需要手动维修或批量生产的设备中都具有较高的实用性。总体而言，2SK1701凭借其优异的电气参数和稳健的物理结构，已成为许多工业与消费类电子产品中不可或缺的关键元器件之一。

2SK1702
　　2SK1703
　　K2743
　　K2753