类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：3W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP Advance

2SK1697EYTR的显著特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其Rds(on)值在Vgs=10V时仅为26mΩ，确保在高电流应用中仍能保持良好的性能表现。
　　此外，该MOSFET具备30V的漏源电压耐受能力，能够承受较大的电压波动，适用于多种电源管理场景。其栅极驱动电压范围为±20V，确保在各种驱动条件下都能稳定工作。
　　采用SOP Advance封装，2SK1697EYTR在保持小尺寸的同时优化了散热性能，非常适合空间受限的高密度PCB设计。这种封装也支持自动贴片工艺，提高生产效率。
　　在安全性和可靠性方面，2SK1697EYTR具有良好的热稳定性和过热保护能力，确保在高负载情况下也能保持稳定运行。

2SK1697EYTR广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。由于其高效率和小尺寸特性，它特别适合用于便携式电子产品中的电池供电系统，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
　　在工业自动化和通信设备中，2SK1697EYTR可作为高频率开关元件使用，提升整体系统效率。同时，它也可用于电机驱动电路和LED照明控制模块，满足多种中功率应用的需求。
　　此外，该MOSFET在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电器、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统等，展现出其在多种环境下的适应性和可靠性。

2SK1697EYTR的替代型号包括2SK1697CLU和2SK1697CLT。这些型号在参数上与2SK1697EYTR相似，但在封装或引脚排列上略有不同，具体使用时需根据电路设计需求进行选择。