2SK1697EYTR是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高效率开关应用和功率转换领域。该器件采用小型表面贴装封装(SOP Advance),适合高频电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及负载开关等应用。2SK1697EYTR具备低导通电阻、高耐压能力以及良好的热性能,使其在高密度电源设计中具有显著优势。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):8A
导通电阻(Rds(on)):26mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):3W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOP Advance
2SK1697EYTR的显著特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其Rds(on)值在Vgs=10V时仅为26mΩ,确保在高电流应用中仍能保持良好的性能表现。
此外,该MOSFET具备30V的漏源电压耐受能力,能够承受较大的电压波动,适用于多种电源管理场景。其栅极驱动电压范围为±20V,确保在各种驱动条件下都能稳定工作。
采用SOP Advance封装,2SK1697EYTR在保持小尺寸的同时优化了散热性能,非常适合空间受限的高密度PCB设计。这种封装也支持自动贴片工艺,提高生产效率。
在安全性和可靠性方面,2SK1697EYTR具有良好的热稳定性和过热保护能力,确保在高负载情况下也能保持稳定运行。
2SK1697EYTR广泛应用于各类电源管理系统,包括DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。由于其高效率和小尺寸特性,它特别适合用于便携式电子产品中的电池供电系统,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
在工业自动化和通信设备中,2SK1697EYTR可作为高频率开关元件使用,提升整体系统效率。同时,它也可用于电机驱动电路和LED照明控制模块,满足多种中功率应用的需求。
此外,该MOSFET在汽车电子系统中也有广泛应用,如车载充电器、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统等,展现出其在多种环境下的适应性和可靠性。
2SK1697EYTR的替代型号包括2SK1697CLU和2SK1697CLT。这些型号在参数上与2SK1697EYTR相似,但在封装或引脚排列上略有不同,具体使用时需根据电路设计需求进行选择。