时间：2025/9/7 12:25:23
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2SK1697EYTL是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高频率开关应用和功率放大电路。该器件采用小型表面贴装封装，适用于高效率电源管理和电池供电设备。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：连续：20A
漏极-源极击穿电压（Vds）：60V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大32mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（表面贴装）
2SK1697EYTL具备低导通电阻和高速开关性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电源系统。其低栅极电荷（Qg）有助于降低开关损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。该器件采用东芝的U-MOS技术，提供优异的导通特性和短路耐受能力，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等应用。由于其低输入电容和快速开关速度，2SK1697EYTL在高频开关电源中表现出色。此外，该器件的封装设计有助于优化PCB布局并减少寄生电感，从而提高系统的稳定性和可靠性。
2SK1697EYTL广泛应用于便携式电子设备、笔记本电脑电源管理系统、DC-DC转换器、马达驱动器、电池保护电路、负载开关以及高效率电源模块。
Si9410BDY-T1-GE3, IRF7413TRPBF, FDS6680
