时间：2025/9/6 18:33:32
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2SK1697EY是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器等功率电子设备中。这款MOSFET以其低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性而著称，适合用于需要高效能和高可靠性的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：25A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为38mΩ（典型值为25mΩ，VGS=10V时）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220
2SK1697EY具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的导通电阻在VGS=10V时仅为25mΩ，最大值也控制在38mΩ以内，这一特性对于高频开关应用尤为重要。
其次，该MOSFET的漏源电压（VDS）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源转换系统，如DC-DC转换器和逆变器。同时，其栅源电压容限为±20V，使得在驱动电路设计中具有更高的灵活性，避免因过压导致的栅极击穿问题。
2SK1697EY的连续漏极电流可达25A，能够满足大电流应用的需求。此外，其最大功耗为150W，结合良好的热设计，可确保在高负载条件下稳定运行。
该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要高效散热的电路板设计。TO-220封装形式也便于安装和更换，适用于工业级应用环境。
最后，2SK1697EY的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有优异的温度适应性，可在极端环境下保持稳定工作，适用于汽车电子、工业控制、通信设备等对可靠性要求较高的领域。
2SK1697EY广泛应用于多种功率电子设备中。首先，它是高频开关电源中的关键元件，因其低导通电阻和快速开关特性，可以有效提高电源转换效率并减小系统尺寸。其次，在DC-DC转换器中，2SK1697EY可作为主开关器件，用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，满足不同电压输出需求。
此外，该MOSFET也适用于电机驱动系统，如无刷直流电机控制器和伺服电机驱动器，其高电流承受能力和低损耗特性有助于提升电机运行效率和稳定性。在逆变器应用中，例如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），2SK1697EY可用于功率级开关，实现高效的电能转换。
由于其优异的温度特性和高可靠性，2SK1697EY也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统（BMS）以及车载逆变器等应用场景。
IRFZ44N, FDPF10N60, STP16NF20, 2SK2545
