2SK168E 时间：2025/9/7 11:14:03 阅读：33

2SK168E是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效率、高可靠性的电子电路中。这款器件采用了先进的平面工艺技术制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种开关应用。2SK168E采用TO-220封装，便于散热和安装，是一种性能稳定、可靠性高的功率MOSFET器件。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：最大值1.0Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK168E具备一系列优秀的电气和物理特性，使其在众多应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源电压额定值允许其在高压电路中稳定工作，而±30V的栅源电压确保了在各种控制条件下都不会发生栅极击穿现象。此外，该MOSFET的连续漏极电流为8A，能够处理相对较高的功率负载，适用于大电流应用。其导通电阻最大为1.0Ω，保证了较低的功率损耗，提高了系统效率。同时，该器件的功率耗散能力为50W，能够在较恶劣的工作环境下保持稳定运行。由于采用了TO-220封装形式，该MOSFET具备良好的散热性能，便于安装在散热器上以提高热管理能力。此外，2SK168E的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适用于各种极端环境条件下的电子设备。这些特性共同保证了2SK168E在高压、高电流应用中的稳定性和可靠性。

应用

2SK168E广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效功率管理的场合。其主要应用包括开关电源、DC-DC转换器、逆变器、马达控制、电池管理系统、照明控制系统以及工业自动化设备等。在开关电源设计中，2SK168E可以作为主开关器件，用于提高电源转换效率和稳定性。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压或降压电路，实现高效的电压调节。此外，在马达控制和电池管理系统中，2SK168E的高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想的选择。由于其优良的电气特性和封装形式，该器件还常用于各种工业控制电路和电源模块中，以满足高可靠性和高性能的需求。