时间：2025/9/6 12:39:52
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2SK168DTZ 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频率开关和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等场合。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：15A（连续）
导通电阻(Rds(on))：40mΩ（典型值）
功耗(Pd)：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
2SK168DTZ 的核心优势在于其出色的导通性能和高速开关能力。其低导通电阻（Rds(on)）仅为40毫欧，有助于减少功率损耗，提高系统效率。该MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，提升了开关速度，同时降低了开关过程中的能量损耗，从而减少了热量产生。
此外，2SK168DTZ 具有较高的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定工作，确保系统运行的可靠性。其±20V的栅源电压容限，使得在使用中不易因栅极电压波动而损坏，提高了器件的耐用性。
在封装方面，TO-252（也称DPAK）封装提供了良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于PCB布局和自动化生产。这使得该器件在空间受限的设计中也具有较高的应用灵活性。
2SK168DTZ 适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、电池充电与管理系统、LED照明驱动器以及工业自动化控制设备。其低导通损耗和高开关频率特性，使其在高效率电源设计中尤为受欢迎。
2SK2545, 2SK3018, FDPF16N60, IRFZ44N
