2SK1673 时间：2025/9/29 13:14:26 阅读：12

2SK1673是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效率功率控制的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具备低导通电阻、高耐压能力和优良的开关特性，适合在高频工作条件下稳定运行。2SK1673封装形式为TO-220，具有良好的热稳定性和机械强度，便于安装于散热片上以提高散热效率。其主要设计目标是实现高效率、小型化和高可靠性的电源系统解决方案。由于其出色的电气性能和坚固的封装结构，2SK1673常被用于工业控制、消费类电子产品以及通信设备中的功率管理模块。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，在现代绿色电子设计中具有较高的兼容性。此外，2SK1673还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持一定的安全裕度，从而提升系统的整体可靠性。

参数

型号：2SK1673
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：7A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω（最大值，@ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：4.0V～5.0V
　　输入电容（Ciss）：900pF（@ Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：270pF（@ Vds=25V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@ Vds=25V）
　　栅极电荷（Qg）：40nC（@ Vgs=10V）
　　最大功耗（Ptot）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

2SK1673具备优异的动态与静态电气特性，能够满足高效率功率转换应用的需求。其最大漏源电压可达500V，确保在高压环境下仍能安全运行，适用于AC-DC电源适配器、离线式开关电源等高压应用场景。该器件的导通电阻较低，典型值为0.55Ω，在Vgs=10V时可有效降低导通损耗，提升系统能效。同时，其连续漏极电流可达7A，脉冲电流高达28A，具备较强的负载驱动能力。
　　该MOSFET采用平面硅栅技术，增强了器件的一致性和可靠性。输入、输出及反向传输电容较小，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作的效率。栅极电荷仅为40nC，使得驱动电路设计更为简便，并降低了驱动功率需求。此外，2SK1673具有较宽的栅源电压范围（±30V），提高了对栅极驱动信号的容忍度，避免因过压导致的器件损坏。
　　器件的热性能表现良好，TO-220封装具有较低的热阻（约2.5°C/W），配合散热片可有效将结温控制在安全范围内。工作结温范围从-55°C到+150°C，适应严苛的工作环境。2SK1673还具备一定的抗雪崩能力，可在非重复性电压冲击下维持功能完整性，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。该器件符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适用于现代化自动装配生产线。

应用

2SK1673广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高效能和高可靠性的电力电子设备。常见应用包括AC-DC开关电源、离线式反激变换器、正激变换器以及DC-DC升压或降压转换器。由于其高耐压和较强的电流承载能力，该器件可用于电视、显示器、打印机等消费类电子产品的内置电源模块中。
　　在工业领域，2SK1673可用于PLC电源、传感器供电单元、电机驱动控制器中的辅助电源部分。其稳定的高温性能也使其适用于环境温度变化较大的户外设备或工业自动化系统。此外，该MOSFET还可作为电子负载、电池充电器、LED驱动电源中的主开关元件使用。
　　通信设备中的隔离式电源模块同样可以采用2SK1673来实现高效的电压转换。由于其具备良好的开关特性和较低的电磁干扰（EMI）潜力，有助于简化EMI滤波电路的设计。对于需要长期连续运行的设备而言，2SK1673的高可靠性与长寿命特性显得尤为重要。总之，任何需要500V级N沟道MOSFET进行功率切换的应用场景，都可以考虑选用2SK1673作为核心开关器件。