时间：2025/8/9 10:42:30
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2SK1663是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。这款晶体管设计用于高效的电源转换和电机控制等场景，具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度的特点。其主要目标市场包括DC-DC转换器、电源管理模块和高效率电源系统。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏-源电压（VDS）：600V
最大栅-源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：40W
2SK1663具备低导通电阻特性，使其在导通状态下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的漏-源击穿电压（600V），能够在高压环境下稳定工作。其快速开关速度也使其适合用于高频开关电路，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提升电源密度。
这款MOSFET采用了高可靠性的硅基技术，确保了其在高温和高负载条件下的稳定运行。此外，2SK1663的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，适用于高功率密度应用。
该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使得其能够方便地与各种控制器或驱动电路配合使用。同时，它具备良好的热稳定性和短路耐受能力，确保在异常工况下仍能保持安全运行。
2SK1663广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明电源、工业自动化设备以及消费类电子产品中的电源管理模块。由于其高压耐受能力和高效能特性，该器件特别适合用于需要高可靠性和高效率的电源系统。
2SK1664, 2SK2142, 2SK2545, 2SK1172
