类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：900V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大漏极电流(Id)：1.5A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：2.5Ω（最大值）
　　功耗(Pd)：30W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：SIP-7

2SK1663-S 的主要特性包括高耐压能力（900V Vds），使其适用于高电压应用，如开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，确保在高负载条件下的可靠运行。
　　其SIP封装设计不仅便于焊接和安装，还提供了良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。该器件还具备较高的抗静电能力和良好的栅极氧化层保护，增强了在复杂电磁环境中的稳定性。
　　2SK1663-S 的封装内部集成有快速恢复二极管（FRD），有助于减少外部元件数量，简化电路设计，并提升整体系统的效率和可靠性。这使其在高频开关应用中表现出色。

2SK1663-S 广泛应用于各种电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、照明设备（如电子镇流器）、逆变器以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和良好的热管理特性，该器件特别适合用于需要长时间稳定运行的工业设备和消费电子产品中。此外，在新能源应用如太阳能逆变器和电动车充电系统中，2SK1663-S 也具有广泛的应用潜力。

2SK1663-S 的替代型号包括 2SK1664-S 和 2SK1665-S，这些型号在参数性能和封装形式上相似，适用于相同的应用场景。