时间：2025/9/7 16:58:12
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2SK1647 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和高功率密度的特点，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和各种开关电源电路中。2SK1647 采用SMD（表面贴装）封装，便于自动化装配和节省空间的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：5A
漏源极击穿电压（VDS）：60V
栅源极击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.28Ω（在VGS=10V时）
功耗（PD）：30W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK1647 MOSFET 具有优异的电气性能和可靠性，适用于高频率开关应用。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件具备较高的耐压能力，漏源极击穿电压（VDS）可达60V，适用于中高压电源转换场景。
该MOSFET的栅源极电压范围为±20V，提供了较大的控制灵活性，并增强了抗干扰能力。其封装形式为SOT-223，具有良好的热性能，有助于快速散热，从而提高器件在高功率负载下的稳定性。
此外，2SK1647 具有较快的开关速度，能够有效减少开关过程中的能量损耗，适用于高频DC-DC转换器、同步整流、负载开关等应用。其SMD封装形式也使得PCB布局更加紧凑，适用于高密度电子设备的设计。
2SK1647 主要用于需要中等功率控制的电子设备中，例如开关电源（SMPS）、LED驱动器、电池充电器、DC-DC降压/升压转换器、马达驱动器以及各种需要高效能MOSFET的控制电路。该器件也可用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中。
2SK2143, 2SK2013, IRFZ44N, FQP5N60
