时间：2025/9/20 0:39:12
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2SK1646Y-05H-TR是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等电路中。该器件采用小型表面贴装封装（US8），具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在紧凑型电子设备中使用，例如移动设备、笔记本电脑和其他便携式电子产品。2SK1646Y-05H-TR的栅极阈值电压较低，可与逻辑电平信号直接驱动兼容，提高了系统集成度和能效。此外，该MOSFET经过优化设计，在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗，有助于提升整体电源效率。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗静电能力（ESD保护），增强了在实际应用中的可靠性。其封装形式支持自动化贴片生产，适用于大规模制造流程。作为一款高性能的功率开关器件，2SK1646Y-05H-TR在现代低电压、高效率电源系统中扮演着关键角色。
型号：2SK1646Y-05H-TR
制造商：Toshiba
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：20V
最大连续漏极电流（Id）：5.3A
栅源电压范围（Vgs）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：17mΩ（@ Vgs=4.5V）
导通电阻（Rds(on)）：20mΩ（@ Vgs=2.5V）
栅极阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
输入电容（Ciss）：420pF（@ Vds=10V）
输出电容（Coss）：140pF（@ Vds=10V）
反向恢复时间（trr）：典型值10ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：US8（超小型SMD）
安装类型：表面贴装
2SK1646Y-05H-TR具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻与快速开关响应的结合，使其在低电压大电流应用场景中表现出色。该MOSFET的Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为17mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高电源转换效率并减少发热。同时，其较低的栅极阈值电压（典型值0.8V）使得器件能够被3.3V甚至更低的逻辑电平信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并节省了PCB空间。器件的输入和输出电容较小，分别为420pF和140pF，这有效减少了开关过程中的充放电能量损耗，从而提升了高频开关应用中的动态性能。
该MOSFET采用先进的沟槽型结构工艺，增强了载流子迁移率，进一步优化了导通特性和开关速度。其US8封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.8mm x 1.4mm x 0.55mm），还具备良好的散热性能，通过PCB焊盘可实现有效的热传导，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，器件内部集成了体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于同步整流或感性负载切换场合。2SK1646Y-05H-TR还具有较高的抗噪声能力和良好的dv/dt耐受性，能够在复杂电磁环境中可靠工作。其符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准（如适用），也可用于车载电子系统中的低压电源管理模块。综合来看，这款MOSFET在功耗、尺寸和驱动便捷性之间实现了良好平衡，是现代高效能电源设计的理想选择。
2SK1646Y-05H-TR主要应用于需要高效率、小尺寸和快速响应的低压电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电池供电路径控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源多路复用器。此外，它也广泛用于DC-DC降压变换器（Buck Converter）的同步整流部分，利用其低Rds(on)特性降低导通损耗，提升转换效率。在USB电源管理电路中，该器件可用于过流保护和热插拔控制，防止短路或浪涌电流对系统造成损害。其高速开关能力使其适用于脉宽调制（PWM）控制的LED背光驱动电路，实现精确的亮度调节。在嵌入式系统和微控制器供电单元中，2SK1646Y-05H-TR常被用作LDO或PMIC外围的开关元件，完成电源域的开启与关闭。由于其小型化封装和表面贴装特性，特别适合高密度印刷电路板布局，满足消费类电子对轻薄化和高集成度的需求。此外，在工业传感器、IoT节点设备和无线充电接收模块中也有广泛应用。
SSM3K164RUK,DMG2305UX,Si2305DS,FDMS7680,FDC630N
