型号：2SK1645V-04-TR-E
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：18A
　　脉冲漏极电流(IDM)：72A
　　功耗(PD)：1.5W
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：最大7.5mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压(Vth)：典型值1.2V，范围1.0V~2.0V
　　输入电容(Ciss)：典型值1900pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：典型值600pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向恢复时间(trr)：典型值25ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP Advance 或类似小型表面贴装封装

2SK1645V-04-TR-E采用了东芝先进的沟槽结构工艺技术，这种设计显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了在大电流应用中的功率损耗。其最大导通电阻仅为7.5mΩ（在VGS=10V条件下），意味着即使在高负载情况下也能保持较低的温升，提高了系统的整体效率和可靠性。该低RDS(on)特性特别适用于电池供电设备和便携式电子产品，这些应用场景对能量利用率和散热管理有严格要求。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC，在高频开关应用中可以有效降低驱动电路所需的能量，减少开关损耗，提升电源转换效率。同时，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）经过优化设计，使得在高速开关过程中电压和电流的变化更加平滑，减小了电磁干扰（EMI）的风险。这对于现代高频率工作的DC-DC变换器尤为重要，尤其是在通信设备、服务器电源和嵌入式系统中。
　　2SK1645V-04-TR-E具备良好的热稳定性，其封装设计具有较高的热导率，能够将芯片产生的热量快速传导至PCB，通过大面积敷铜实现有效的散热。这不仅延长了器件的使用寿命，也增强了系统在高温环境下的运行稳定性。此外，该MOSFET的阈值电压范围适中（1.0V~2.0V），保证了在不同驱动条件下都能可靠开启，避免误触发或开启延迟的问题。
　　该产品符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造的需求。其卷带包装形式（TR）便于自动贴片机使用，提高了SMT生产线的效率和一致性，适用于大批量电子产品制造。综合来看，2SK1645V-04-TR-E是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种电源管理场景。

2SK1645V-04-TR-E广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率开关的电子设备中。其主要应用领域包括但不限于：DC-DC降压和升压转换器，特别是在多相VRM（电压调节模块）中作为同步整流开关使用，能够显著提高转换效率并降低发热；在电池管理系统中用作充放电控制开关，利用其低导通电阻减少能量损失，延长电池续航时间；在负载开关电路中用于控制电源路径的通断，实现快速响应和低静态功耗。
　　该器件也常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理单元中，用于背光驱动、USB端口电源控制、CPU核心供电调节等功能模块。由于其小型化封装和高电流承载能力，非常适合空间受限但功率需求较高的应用场景。
　　此外，2SK1645V-04-TR-E还可用于电机驱动电路中的低端开关元件，例如微型风扇、振动马达等小型直流电机的控制；在LED照明驱动电路中作为恒流调节开关，提供稳定的亮度输出；在服务器和网络通信设备的电源系统中用于分布式电源架构的局部电源开关控制。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于PLC模块、传感器供电管理、继电器驱动接口等场合，凭借其高可靠性和宽温工作范围，确保系统在恶劣环境下仍能稳定运行。总之，2SK1645V-04-TR-E凭借其优异的电气性能和封装优势，成为众多中低压功率开关应用的理想选择。

TPS23750PWPR
　　LM5113MF-04/NOPB
　　Si3456EDV-T1-GE3
　　IRLML6344TRPBF
　　FDMC86128