类型：N沟道JFET
　　漏极电流（IDSS）：典型值为1.0mA（VGS=0V时）
　　夹断电压（VP）：-0.3V至-1.5V
　　跨导（GFS）：最小1.0mS
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2SK163M的最大特点在于其极低的噪声系数，使其成为高质量音频应用中的首选器件之一。该器件具有良好的热稳定性和较宽的工作温度范围，可在各种环境条件下可靠运行。此外，它的输入阻抗非常高，有助于减少对前级电路的影响，同时输出具有较高的线性度，能够提供更纯净的信号传输。
　　在制造工艺方面，2SK163M采用了硅基结型场效应晶体管技术，具备优异的高频响应能力，适用于从低频到中高频的各种模拟信号处理场景。其封装形式通常为TO-72或类似的小功率金属或塑料封装，便于在紧凑的PCB布局中使用。
　　该JFET还具有良好的互换性和一致性，在批量使用时可以确保电路性能的稳定性。因此，它不仅被广泛应用于消费类音频设备，如高端耳机放大器、前级放大器、真空管替代电路等，也常用于专业音频设备和测量仪器中。

2SK163M主要用于音频放大电路中的低噪声前置放大器，例如在动圈式麦克风前置放大器、高品质耳机放大器、音响系统的前级放大模块中。此外，它也可用于需要低噪声和高输入阻抗的模拟信号调理电路、电压控制衰减器、传感器接口电路以及一些模拟合成器的设计中。
　　由于其出色的线性特性和低失真表现，该器件也常用于设计JFET缓冲器、电压跟随器、增益控制电路以及作为某些真空管电路的固态替代方案。在一些高端音响发烧友和DIY电子爱好者中，2SK163M被视为构建高品质音频放大系统的重要元件。

2SK163O, 2SK163Y, J201, BF245C