类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：400 V
　　漏栅电压（Vdgr）：400 V
　　连续漏极电流（Id）：1.5 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：6 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　功耗（Pd）：30 W
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 3.2 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：~ 500 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：~ 100 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：无（为MOSFET）
　　工作结温范围（Tj）：-55 ~ +150 °C
　　封装形式：SOP Advance 或类似功率增强型表面贴装封装

2SK1638具备出色的电气特性和可靠性，特别针对高电压、中低电流的开关电源应用进行了优化。其核心优势之一是较低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs = 10V时可达到不超过3.2Ω的水平，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。这一特性对于需要长时间运行且注重能效的设备尤为重要，例如适配器、充电器和LED驱动电源。
　　该器件采用了东芝专有的沟槽栅极技术，这种结构不仅提升了单位面积内的载流子迁移率，还有效减小了芯片尺寸，从而在保证性能的同时实现了小型化封装。同时，沟槽结构增强了器件的热传导能力，使其在有限散热条件下也能稳定工作。
　　2SK1638具有良好的开关特性，输入电容和输出电容均经过优化，典型Ciss约为500pF，Coss约为100pF，使得其在高频操作下仍能保持较低的驱动损耗和较快的上升/下降时间。这对于提高开关频率、缩小外围滤波元件体积具有重要意义。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和过压保护特性，能够在瞬态过压事件中维持一定的鲁棒性，避免因电压尖峰导致的永久性损坏。其栅极氧化层经过严格工艺控制，确保了长期使用的可靠性和耐久性，即使在反复开关循环和温度变化环境中也能保持稳定的阈值电压。
　　热性能方面，尽管采用的是表面贴装封装，但通过优化焊盘布局和内部连接方式，2SK1638能够实现有效的热量传递至PCB，最大功耗可达30W，满足多数中小功率电源设计的需求。综合来看，2SK1638是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高压N沟道MOSFET，广泛应用于现代高效能电源系统中。

2SK1638主要应用于各类中低功率开关模式电源（SMPS）系统中，尤其适合作为反激式（Flyback）、正激式（Forward）或半桥拓扑结构中的主开关管使用。它常见于交流-直流（AC-DC）电源适配器、手机及笔记本电脑充电器、电视机和显示器的内置电源模块中，支持宽输入电压范围下的高效能量转换。
　　在DC-DC转换器领域，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中，特别是在需要较高输出电压隔离或非稳压总线转换的应用中表现良好。由于其具备快速开关能力和低寄生参数，也适用于高频谐振变换器和准谐振（Quasi-Resonant）电源设计，有助于降低电磁干扰并提升整体效率。
　　此外，2SK1638还可用于LED照明驱动电源，尤其是在离线式恒流驱动方案中作为功率开关元件。这类应用通常要求器件具备良好的热稳定性和长寿命，而2SK1638的高结温允许和低Rds(on)特性正好满足这些需求。
　　在工业控制和自动化设备中，该MOSFET可用于继电器驱动、电机控制前端开关或隔离式电源模块中，提供安全可靠的高压切换功能。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适合大规模贴片组装工艺，有利于提升产品一致性与制造效率。

2SK1639,2SK1640,2SK2117,2SK2118