时间：2025/9/7 18:35:05
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2SK1629是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。这款MOSFET专为高效率和低导通损耗而设计，适用于电源转换器、电机驱动器和开关电源等电路。该器件采用了先进的沟槽技术，以实现更低的导通电阻（Rds(on)）和更高的性能。2SK1629通常封装在TO-220或类似功率封装中，以提供良好的散热性能。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：900V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：5A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：约1.2Ω（最大值）
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220
2SK1629具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于高功率和高效率的开关应用。
首先，其高漏源电压（900V）使其适用于高压电源转换器和开关电源应用，能够承受较高的电压应力。
其次，该MOSFET的导通电阻较低（最大1.2Ω），有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，2SK1629的栅极驱动电压范围较宽（±30V），允许使用不同的栅极驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。
它的连续漏极电流为5A（在25℃下），适合中高功率应用，如电机控制、DC-DC转换器和工业电源系统。
该器件的封装形式（如TO-220）提供了良好的热管理能力，能够有效地将热量传导至散热器，从而保证MOSFET在高负载下稳定工作。
2SK1629的工作温度范围广泛（-55℃至+150℃），适用于各种工业环境，包括高温和低温条件。
此外，该MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和耐用性。
总的来说，2SK1629是一款适用于多种高功率电子设备的MOSFET，具备高耐压、低导通电阻、良好的热管理和高可靠性等优点。
2SK1629广泛应用于多个电力电子领域，尤其适用于需要高电压和中等电流的开关电路。它常用于开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，以提高能效并减少热量产生。此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，如直流电机控制、步进电机驱动和逆变器系统。在DC-DC转换器中，2SK1629可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，以实现高效的能量转换。另外，它还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统以及各种功率控制电路。
2SK1628, 2SK1332, 2SK2141, IRF840
