2SK1622S 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)芯片,广泛应用于高频开关电路、功率放大器以及电源管理电路中。该器件具有良好的导通特性和快速开关性能,适用于需要高效能和高稳定性的电子系统。2SK1622S采用SOT-23封装形式,便于在PCB上安装和使用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):20V
最大栅源电压(VGS):±12V
最大漏极电流(ID):100mA(连续)
功耗(PD):200mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
导通电阻(RDS(on)):约3Ω(典型值,VGS=4.5V时)
栅极电荷(Qg):约2.3nC
漏极电容(Ciss):约25pF
2SK1622S MOSFET具有多项优异的电气特性和物理特性,使其在低电压和低电流应用中表现出色。首先,该器件的导通电阻较低,能够在VGS为4.5V时提供良好的导通性能,从而减少导通损耗并提高效率。其次,2SK1622S具备较高的开关速度,适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等需要快速响应的应用。
此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和抗过载能力,在高温环境下仍能保持稳定运行。其SOT-23封装不仅体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,而且具备良好的散热能力。2SK1622S还具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少驱动损耗,提高整体系统效率。
在可靠性方面,2SK1622S经过严格的设计和测试,符合工业级的可靠性标准,适用于各种消费类电子、便携式设备和通信设备。
2SK1622S常用于低功率开关电路、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、音频放大器以及各种便携式电子产品中。由于其高频响应和低导通电阻的特性,它也适用于需要高效能和紧凑设计的功率管理应用。
2SK1622S的替代型号包括2SK1622, 2N7000, 2N7002, 2SK3018