2SK1622是一款由东芝(Toshiba)公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效能功率转换的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式MOS结构,具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频率下工作,适合用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。2SK1622的封装形式为SOT-223,具有良好的热性能和小型化设计,适用于紧凑型电路板布局。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(Id):1.5A
最大漏源电压(Vds):200V
最大栅源电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):4.5Ω(最大)@ Vgs=10V
最大功耗(Pd):1.25W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOT-223
2SK1622 MOSFET采用了高效的沟槽技术,具有优异的开关特性和低导通损耗。该器件在高电压应用中表现出色,具有较高的击穿电压能力,同时在高频条件下保持较低的开关损耗,提高了整体效率。此外,2SK1622具备良好的热稳定性,能够在较高的工作温度下稳定运行,适用于要求较高的工业和消费类电子产品。
该MOSFET的SOT-223封装形式提供了良好的散热性能,使其在小型化设计中依然能够保持稳定的热管理。由于其较低的输入电容和快速的开关速度,2SK1622非常适合用于高频开关电路。此外,其栅极驱动电压范围较宽,可以在不同的驱动条件下保持良好的性能。
2SK1622广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、电池管理系统以及各种低功耗电源转换设备。由于其高效的开关性能和良好的热管理能力,该器件也适用于需要长时间连续运行的工业自动化设备和消费电子产品。
2SK1623, 2SK1621, 2SK2462