类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Vgs=10V时）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值，典型值3.5mΩ）
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

2SK1621L MOSFET采用了先进的沟槽技术，使其在高电流和低导通电阻条件下表现优异，从而减少了导通损耗。其低Rds(on)特性有助于提高能效，尤其是在高功率密度应用中。
　　该器件的栅极氧化层设计使其能够承受高达±20V的栅源电压，从而提高了在高噪声环境下的稳定性和可靠性。此外，2SK1621L具有出色的热稳定性和高雪崩耐受能力，有助于防止在高应力开关条件下损坏。
　　2SK1621L采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，便于自动化组装并提供良好的散热性能。这种封装形式适用于高功率、空间受限的应用场景，同时也增强了器件在高温环境下的稳定性。
　　该MOSFET还具备快速开关能力，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。这一特性使其非常适合用于高频电源转换器和PWM控制应用。
　　由于其优异的性能和高可靠性，2SK1621L被广泛应用于工业电源、汽车电子、消费类电子产品以及绿色能源系统中。

2SK1621L MOSFET主要应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器：由于其低导通电阻和高效率，该MOSFET非常适合用于升压、降压和同步整流电路。
　　2. 电机控制：在电机驱动和电动工具中，2SK1621L能够提供高电流能力和平稳的开关操作。
　　3. 电池管理系统：用于电池保护电路和充放电控制开关，提高电池使用效率和安全性。
　　4. 负载开关：在需要快速开关高电流负载的场合，如服务器电源、工业控制设备等。
　　5. 汽车电子：用于车载电源转换、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器等应用。
　　6. 太阳能逆变器和储能系统：作为高效率功率开关，提高能源转换效率。

2SK1621L的替代型号包括2SK1620L、2SK1622L、Si7490DP、IRF1404Z、IPD65R045C6