2SK1586 时间：2025/5/15 12:10:33 阅读：1

2SK1586是一种N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高频、高功率的电子电路中。该器件由富士通（现为安森美半导体旗下品牌）制造，具有出色的开关特性和低导通电阻，适合用作射频放大器和功率转换器中的关键元件。
　　2SK1586在设计上注重高效能表现，能够满足对性能要求较高的应用需求，如通信设备、雷达系统以及其他高频功率处理场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：400V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：1A
　　输入电容(Ciss)：200pF
　　输出电容(Coss)：20pF
　　反向传输电容(Crss)：10pF
　　导通电阻(Rds(on))：4Ω
　　最大耗散功率(Pd)：90W
　　工作温度范围：-55℃ to +175℃

特性

2SK1586具备高耐压能力，适用于高达400V的工作环境，同时其漏极电流可以达到1A，保证了较强的负载驱动能力。
　　该器件的低导通电阻使其在导通状态下能够减少能量损耗，提高整体效率。
　　另外，由于其电容值相对较小，特别是在输出电容和反向传输电容方面，因此非常适合高频开关应用。此外，2SK1586能够在极端温度范围内稳定工作，确保了在恶劣环境下的可靠性。
　　其快速开关特性和较低的栅极电荷量进一步增强了其在高频射频应用中的表现。

应用

2SK1586主要应用于高频功率转换电路、射频功率放大器以及各类通信设备中。例如，在无线电通信、卫星通信和雷达系统等需要高效率、高可靠性的场景下，这款MOSFET可以发挥重要作用。
　　它还可以用于音频功率放大器的设计，提供清晰且不失真的声音输出。
　　此外，2SK1586也可被用作开关电源中的功率开关，以实现高效的直流-直流转换。