2SK1583 时间：2025/8/2 7:13:28 阅读：40

2SK1583 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于高频开关电源、DC-DC转换器以及马达控制等功率电子应用中。这款MOSFET具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于需要高效率和高频率操作的应用场景。2SK1583采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：连续10A
　　漏源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅源极击穿电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.42Ω
　　功率耗散（Pd）：80W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2SK1583具有多个优良的电气和热性能特性，适合高效率、高频应用。其导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具有较高的耐压能力，漏源极击穿电压为100V，使其适用于中高功率应用。MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间正常工作，便于与各种驱动电路兼容。此外，该器件的开关速度快，有助于减少开关损耗，提高整体系统的响应速度。
　　在热管理方面，TO-220封装提供了良好的散热能力，确保器件在较高负载条件下仍能保持稳定运行。该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。此外，2SK1583的制造工艺确保了其稳定的性能和较长的使用寿命，适用于工业级和汽车电子系统等对可靠性要求较高的应用场合。

应用

2SK1583广泛应用于多种功率电子设备中，尤其适合需要高效率和快速开关的电路设计。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、马达驱动电路、逆变器、LED照明驱动以及自动化控制系统中的功率开关模块。此外，该MOSFET也常用于消费类电子产品、工业自动化设备、通信电源模块以及汽车电子系统中的功率控制部分。其良好的热稳定性和抗过载能力使其在环境条件较为严苛的工业应用中表现出色。